A Generalized Crystallographic Description of All Tellurium Nanostructures
- Te纳米线与纳米线之间并不只是范德瓦尔斯相互作用，而是有成键作用
2.新的Te原子既可以吸附在原有的螺旋上，也可以吸附在另一条纳米线的位置上
- 纳米线的生长并不是沿着线的生长，而是沿着面的堆叠
目前的问题：1.表面的原子需要修饰，需要怎么修饰，表面还有没有K
- 计算旋转角度的能量（自洽还是优化）
How flat is an air-cleaved mica surface?
- 云母表面被大气中的污染物污染、
- Al对Si的替代会带来负电荷，而层间的K离子用来补偿电荷
- mica的容易切割来源于K离子与上下两层键弱的成键作用，在切割时，Al-Si四面体层的结构是不受影响的，而K层的结构是被破坏的
切割的云母表面具有六角的结构
空气中切割的表面并没有表现出多余的电荷
残留有钾离子与空气中含碳原子和水反应，形成一些表面碳酸钾“岛屿”，而且，这种表面的污染物不能通过清洗去除
对于一个切开的云母，两个表面应该各自包括一半的钾离子，但是钾离子的位置是无序的。
- 1.做大点基底 2.询问粗细，3.询问云母的处理方法 4. 表面到底是什么 5. 修饰方法
- 蓝钻结构 需要多少机时 韧性大，p型/n型导电
- 自己的计算
- 用K-Te化合物修饰
Van der Waals Epitaxy and Photoresponse of Hexagonal Tellurium Nanoplates on Flexible Mica Sheets
- vdWE可以规避晶格失配，规避衬底的对称性，因为衬底与吸附物之间是弱的范德瓦尔斯力
此外，钝化的衬底表面也有利于原子的快速迁移
- 光学颜色与厚度有关 黑色部分说明面外生长的厚度足够大
也是在云母上制成的
文中报道Te在垂直于线的方向生长更容易
生成Te纳米板
云母使用的是O/F层
- 改变温度可以调节表面上的扩散势垒
炉温 750 ℃ 基底温度 500 摄氏度
Synthesis and magnetoresistance measurement of tellurium
microtubes
- 成管的原因：六角晶系中的等效面以及倾向在能量低的面生长
- 低含量的Te容易导致纳米管的生成
Broad spectral response of an individual tellurium nanobelt grown by molecular beam epitaxy
他们做的云母上的生长
STO（SrTiO3) ，250℃
取向不规则
也出现了称为纳米带的东西，说不准是面内还是面外生长
Multivalency-Driven Formation of Te-Based Monolayer Materials: A Combined First-Principles and Experimental study
新的Te结构
High temperature synthesis and characterization of ultrathin tellurium nanostructures
生长出了纳米线使用蓝宝石基底
长度几百纳米到几微米，宽度几十纳米到几百纳米
2. 晶体的成核生长与相变
Synthesis of two-dimensional materials: How computational studies can help?
CVD生长过程 ：吸附-成核-扩展
Atomistic Insights into Nucleation and Formation of Hexagonal Boron Nitride on
Nickel from First-Principles-Based Reactive Molecular Dynamics Simulations
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